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三极管的作用

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发射器工作在1310 nm的标称波长

发布时间:2019-07-11

  高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次

  所有 MOS集成电路(包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。 按损伤的严重程度静电损害有多种形式,最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端 VDD GND 短路或开路,器件完全丧失了原有的功能。稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化,那就更难察觉。还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。

  MOS管做为电压驱动大电流型器件,在电路尤其是动力系统中大量应用,MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的

  1、 MOS管体二极管,又称寄生二极管,在单个MOS管器件中有,在集成电路光刻中没有,这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用,一般正向导通压降在0.7-1V左右,因为这个二极管的存在,MOS器件在电路中不能简单地看到一个开关的作用,比如充电电路中,充电完成,移除电源后,电池会反向向外部供电,这个通常是我们不愿意看到的结果,一般解决的方法是在后面增加一个二极管来防止反向供电,这样虽然可以做到,但是二极管的特性决定必须有0.6-1V的正向压降,在大电流的情况下发热严重,同时造成能源的浪费,使整机能效低下。还有一个方法是再增加一个背靠背的MOS管,利用MOS管低导通电阻来达到节能的目的,这一特性另一个常见的应用为低压同步整流。

  2、 MOS管导通后的无方向性,MOS在加压导通后,就类似于一根导线,只具有电阻特性,无导通压降,通常饱和导通电阻为几到几十毫欧,且无方向性,允许直流和交流电通过。

  (1)为了安全使用MOS管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

  (2)各类型MOS管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中,要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。

  (3)MOSMOS管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOSMOS管放入塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。

  (4)为了防止MOS管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接MOS管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用MOS管时必须注意。

  (5)在安装MOS管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

  (6)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W.

  (7)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管管子一般不超过4个,而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

  (8)结型MOS管的栅源电压不能接反,可以在开路状态下保存,而绝缘栅型MOS管在不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏。

  (9)焊接时,电烙铁外壳必须装有外接地线,以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接,也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅MOS管时,要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接,并且要断电焊接。

  (10)用25W电烙铁焊接时应迅速,若用45~75W电烙铁焊接,应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型MOS管可用表电阻档定性地检查管子的质量(检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值),而绝缘栅场效管不能用万用表检查,必须用测试仪,而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时,则应先短路再取下,关键在于避免栅极悬空。

  在要求输入阻抗较高的场合使用时,必须采取防潮措施,以免由于温度影响使MOS管的输入电阻降低。如果用四引线的MOS管,其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性,应注意避光使用。

  对于功率型MOS管,要有良好的散热条件。因为功率型MOS管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。

  总之,确保MOS管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好MOS管。

  出品方:黄敏超博士(正远EMC)&硬件三人行讲师介绍: 黄敏超博士&nb

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  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-390525RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够在单个PCB上抑制高达15 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子和医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR-390525RZ与TTL逻辑系列兼容,可以使用DC至5 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件的爬电距离和间隙距离至少为24.96 mm。 特性 信号速率为DC至5 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制高达15 kV符合IEC 60664-1 激光等级1符合IEC-60825:修订2001 外壳材料UL-V0,带CTI 600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压电源分布 医疗/ X射线设备 调节分布变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-395025RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够在单个PCB上抑制高达15 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子和医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR的集成接收器输出-395025RZ与TTL逻辑系列兼容,可以使用DC至50 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件的爬电距离和间隙距离至少为24.96 mm。 特性 信号速率为DC至50 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合发送器和接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制高达15 kV IEC 60664-1 符合IEC-60825的激光等级1:修订2001 外壳材料UL-V0,CTI≥600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压电源分布 医疗/ X射线设备 稳压配电变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-390500RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够抑制单个PCB上高达50 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR的集成接收器输出-390500RZ与TTL逻辑系列兼容,可操作任何类型的信号,从DC到5 MBd。该器件提供爬电距离和间隙距离,最小值为101.16 mm。 功能 信号速率为DC至5 MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制高达50 kV符合IEC 60664-1 激光等级1 / IEC-60825:修订2001 外壳材料UL-V0,带CTI 600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压电源分布 医疗/ X射线设备 调节分布变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom的光纤(FO)短连杆AFBR-390550RZ是具有成本效益的电偶能够抑制高达27千伏的在单个瞬时峰值电压PCB。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR-390550RZ的集成接收器输出与TTL逻辑系列兼容,可以使用DC至5 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件提供爬电距离和间隙距离,最小值为50.36 mm。 功能 信号速率为DC至5 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制高达27 kV符合IEC 60664-1 激光等级1符合IEC-60825:修订2001 外壳材料UL-V0,带CTI 600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压电源分布 医疗/ X射线设备 调节分布变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-395075RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够抑制单个PCB上高达40 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 AFBR-395075RZ的集成接收器输出兼容TTL逻辑系列可以使用DC至50 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件的爬电距离和间隙距离至少为75.76 mm。 功能 信号速率为DC至50 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合发送器和接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制符合IEC 60664-1标准,最高可达40 kV IEC-60825激光等级1:修订2001 外壳材料UL-V0,CTI≥600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压功率分布 医疗/ X射线设备 稳压配电变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-395050RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够抑制高达27 kV的瞬态峰值电压PCB。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR-395050RZ的集成接收器输出与TTL逻辑系列兼容,可以使用DC至50 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件的爬电距离和间隙距离至少为50.36 mm。 特性 信号速率为DC至50 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合发送器和接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制根据IEC 60664-1高达27 kV 符合IEC-60825的激光等级1:修订2001 外壳材料UL-V0,CTI≥600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压功率分布 医疗/ X射线设备 稳压配电变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-395000RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够在单个PCB上抑制高达50 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用中的高瞬态电压抑制。 AFBR-395000RZ与TTL逻辑系列兼容,可以处理DC至50 MBd的任何类型的信号。该器件提供爬电距离和间隙距离,最小值为101.16 mm。 功能 信号速率为DC至50 MBaud的数据传输 具有CMOS / TTL输出的直流耦合发送器和接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制根据IEC 60664-1至 激光等级1,符合IEC-60825:修订2001 外壳材料UL-V0,带CTI 600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压电源分布 医疗/ X射线设备 调节分布变压器 智能电网板载绝缘...

  Broadcom光纤(FO)短链路AFBR-390575RZ是一款经济高效的电流隔离器件,能够抑制单个PCB上高达40 kV的瞬态峰值电压。该器件基于650nm光纤技术,适用于逆变器/驱动器,电力电子或医疗设备等应用。 AFBR-390575RZ的集成接收器输出兼容TTL逻辑系列可以使用DC至5 MBd的任何类型的信号进行操作。该器件的爬电距离和间隙距离至少为75.76 mm。 特性 信号速率为DC至5 MBaud的数据传输 DC具有CMOS / TTL输出的耦合接收器,易于设计 - 无需数据编码或数字化电路 通过带集成光电二极管的接收器IC实现高抗噪性 瞬态电压抑制最高可达; 40 kV符合IEC 60664-1 激光等级1 / IEC-60825:修订2001 外壳材料UL-V0,CTI≥600 3.3V或5V电源 符合RoHS标准 应用 驱动器/逆变器 板载电流绝缘 中压功率分布 医疗/ X射线设备 稳压配电变压器 智能电网板载绝缘...

  MOST150发送器和接收器设计用于发送/接收高达150 MBit / s的DCA编码光学数据。两者都采用7引脚传输模塑,低成本封装,可以组装成MOST®塑料光纤连接器插座。变送器采用650 nm LED光源,集成光学元件,可有效耦合到1mm聚合物光纤(POF)接收器包含一个高速PIN二极管来接收这种光。输入/输出数据具有LVDS开关电平,与MOST®网络接口控制器IC兼容。这些光学元件指定用于 - 40°C至+ 95°C的温度范围,满足汽车应用的可靠性要求。在没有数据活动的情况下,发射器和接收器切换到极低功率模式。在此模式下,设备可以感知新数据活动并切换回完全操作。 功能 MOST150应用的光接收器,最大数据速率为150Mbit / s 3.3 V电源电压 工作温度范围-40°C至+ 95°C 光电二极管和带前置放大器,后置放大器,数字转换器的IC,休眠和唤醒功能,差分LVDS输出级。 机械装配:7针传输模塑侧视封装,带集成透镜,引脚之间间距为1.27 mm。 符合MOST150 oPHY汽车物理层子规范 符合RoHS标准(无铅和无卤素) 应用 MOST®150Mbit / s Systems。...

  247Ex-1490是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射波长为1490 nm,适用于输出功率高达75 mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度 5°C至+ 75°C...

  247Ex-1310是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射频率为1310 nm,适用于输出功率高达75mW的非制冷应用。该设计是在n型衬底上生长的带帽的台面掩埋异质结构(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金焊盘。出于识别目的,芯片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行认证的晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 可粘合结合或结合 久经考验的现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧焊盘,提供焊料渗透的屏障 工作温度 5°C至+ 75°C...

  MOST150发送器和接收器设计用于发送/接收高达150 MBit / s的DCA编码光学数据。两者都采用7引脚传输模塑,低成本封装,可以组装成MOST®塑料光纤连接器插座。发射器采用650 nm LED光源和集成光学元件,可有效耦合到1mm聚合物光纤(POF),接收器包含一个高速PIN二极管,用于接收此光。输入/输出数据具有LVDS切换电平,与MOST®兼容;网络接口控制器IC。这些光学元件的工作温度范围为-40°C至+ 95°C,可满足汽车应用的可靠性要求。在没有数据活动的情况下,发射器和接收器切换到极低功率模式。在此模式下,设备可以感知新的数据活动并切换回完全操作。功能 用于MOST150应用的光发送器,最大数据速率为150Mbit / s 3.3 V电源电压 工作温度范围-40°C至+ 95°C 驱动器IC和650 nm LED,适用于PMMA的低衰减范围光纤,睡眠和唤醒功能,差分LVDS输入级。 机械装配:7针传递模塑侧视封装,带集成透镜,引脚之间间距为1.27 mm。 符合MOST150 oPHY汽车物理层子规范 符合RoHS标准(无铅和无卤素) 应用 光发射机对于MOST® 150 Mbit / s系统...

  SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。

  HPND-4005光束引线PIN二极管设计用于带状线或微带电路。应用包括微波频率下的开关,衰减,相移,限幅和调制。该器件的极低电容使其成为串联二极管配置中需要高隔离度的电路的理想选择Ct = 0.017pF,Rs @ 20mA = 4.7欧姆,Vbr = 120V,Tau = 100nSec。

  HMPP-386x系列通用PIN二极管专为两类应用而设计。第一种是衰减器,其中电流消耗是最重要的设计考虑因素。此pin二极管系列的第二个应用是开关,其中低电容,无反向偏置是设计人员的驱动问题。 功能 更好的导热性,实现更高的功耗 单和双版本 匹配二极管用于性能稳定 零电压时低电容 低电阻 低失效时间率 六西格玛质量水平

  HMPP-3865和HMPP-386x系列通用PIN二极管专为两类应用而设计。第一种是衰减器,其中电流消耗是最重要的设计考虑因素。该系列二极管的第二个应用是开关,其中低电容,无反向偏置是设计人员的驱动问题。 特征 VBR = 50 V Ct = 0.20 pF Rs @ 10mA = 3欧姆 Tau = 500 nSec

  HMPP-386x系列通用PIN二极管专为两类应用而设计。第一种是衰减器,其中电流消耗是最重要的设计考虑因素。此pin二极管系列的第二个应用是开关,其中低电容,无反向偏置是设计人员的驱动问题。 特征 VBR = 50 V Ct = 0.20 pF Rs @ 10mA = 3欧姆 Tau = 500nsec

  AFBR-2310Z是一款紧凑型,高性能,高性价比的接收器,适用于单模光纤上的多GHz模拟通信。 接收器具有宽带宽,封装在TO-header内的低暗电流InGaAs / InP PIN光电二极管,以及高性能E-pHEMT RF放大器及其偏置网络。 根据CEI / IEC 61754设计的插座 - 13标准允许通过FC光纤跳线耦合光信号。 接收器针对1310 nm和1550 nm的工作进行了优化,但可用于850 nm至150 nm的宽波长范围。 1600 nm,性能降低。 放大器低噪声系数和PIN高响应度允许高灵敏度,因此在分支无源光网络中具有高分光比。 访问射频输出以及PIN和放大器的偏置是通过柔性印刷电路板实现的。 RF输出需要外部AC耦合。 插座设计用于组装到客户盒壁或夹具中的适当形状的孔中。 功能 紧凑型封装 低暗电流PIN 高性能射频放大器 FC单模光纤连接器光学插座 低功耗 与客户PCB的Flex互连 需要最少的外部电路 符合RoHS6 用于多GHz模拟链路的AFBR-1310Z光纤发射机 应用 用于卫星信号分配的模拟光链路 室内天线远程系统...

  AFBR-1310Z是一款紧凑型,高性能,高性价比的发射器,适用于单模光纤上的多GHz模拟通信。 发射器采用线性宽带宽InGaAsAl / InP法布里 - 珀罗激光器封装在TO头内,耦合到单模光纤尾纤,端接标准FC / PC连接器,用于闭环操作的监控光电二极管,50欧姆输入阻抗线性RF放大器和偏置允许分别控制激光器平均输出功率的网络。 发射器工作在1310 nm的标称波长。接入RF输入,电气控制信号I / O和放大器电源是通过柔性印刷电路板。 RF输入是自偏置和交流耦合,因此不需要外部DC模块。 使用合适的支架将变送器安装到PCB或金属基板上。...

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