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功率三极管

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华为遭遇了断供危机

发布时间:2019-06-16

  作为一个发展中的大国,我国在现代化的进程中仍面临诸多挑战,就在前不久,华为遭遇了断供危机,一时间我国的芯片研发成为各方关注的焦点,甚至不少相关人士看衰形势,认为最终还是会对美妥协。

  不过,断供危机过去没多久,我国芯片研发就传出好消息,3纳米晶体管技术已经获得关键突破,尽管现在应用最为广泛的仍是7纳米晶体管,但3纳米晶体管技术代表的是未来的芯片研发,这也意味着我国的芯片技术已经可与世界头号强国正面竞争。

  据了解,3纳米的晶体管技术是由中科院的殷华湘团队负责研发,相较于现有的7纳米晶体管技术,3纳米晶体管可大大增强芯片的性能,同时降低能量耗损。

  但是,3纳米晶体管技术要想获得成功,仍需要克服多个障碍,其中波尔兹曼是一个无法回避的难题,按照该理论,越多的晶体管安装在芯片上,就会产生巨大的热量,超过一定界限,晶体管运行所产生的热量就会直接烧毁芯片。

  然而,这个问题经过殷华湘团队的多番努力,终于得以解除,并提出了一个负电容的方法,即用晶体管所需最小电量的一半,维持晶体管的运行,借此减少晶体管产生的热量,但要想实现商业化的量产,仍需要数年时间。

  另外,在3纳米的技术领域,韩国三星已经取得了明显的突破,并对外表示将在明年上半年完成3纳米晶体管的研发工作,只是关键的芯片量产没有提上议事日程,就这一点来看,在电子领域有突出优势的三星,也在3纳米晶体管的量产上遇上了烦。

  值得注意的是,就在各国争相研发3纳米晶体管的技术时,我国已经盯上了原子级别的0.5纳米晶体管技术,这表明我国在晶体管技术的研发中,已经走出了学习模仿的阶段,开始构建具有我国特色的晶体管技术,可谓提气至极。

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